박막 트랜지스터 액정 디스플레이(TFT-LCD) 패널 및 LCD 모듈 수명 연장 넥스페리아가 오늘 공간 절약형 고효율 이중 출력 LCD 바이어스 전력 IC 시리즈를 출시했다. 이 소자들은 스마트폰, 태블릿, 가상 현실(VR) 헤드셋 등의 다양한 애플리케이션에 사용되는 박막 트랜지스터 액정 디스플레이(TFT-LCD) 패널 및 LCD 모듈의 수명을 연장하도록 설계됐다. NEX10000는 80mA 이중 출력 LCD 바이어스 전원 공급 소자이며 NEX10001는 최대 220mA의 출력 전류를 제공한다. I²C 프로그래밍 가능 비대칭 전압 출력을 갖는 이 소자들은 내부적으로 보정되며 두 출력 모두에 대해 단일 인덕터만 필요하므로 BOM 및 PCB 면적을 줄여준다. NEX10000/1은 공간 제약이 있는 애플리케이션에 필요한 기판 면적을 최소화하기 위해 15개의 범프와 1.16mm × 1.96mm × 0.62mm 폼팩터를 갖춘 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지(WLCSP)로 제공되는데 이는 표준 웨이퍼 레벨 패키지보다 훨씬 작다. 넥스페리아의 전력 및 신호 변환 비즈니스 그룹 총괄 책임자인 아이렌 뎅(Irene Den)은 "이 분야 포트폴리오의 첫 번째 제품으로 LCD 바
전기차 충전, UPS, ESS용 인버터 등 고성능 SiC MOSFET 수요 충족할 것으로 보여 넥스페리아가 오늘 RDS(on) 값이 40mΩ 및 80mΩ인 3핀 TO-247 패키지의 1200V 개별 소자 2종 출시로 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 시장에 진출했다고 발표했다. 이번에 선보인 NSF040120L3A0 및 NSF080120L3A0는 넥스페리아가 향후 출시할 SiC MOSFET 제품들 스루홀 및 표면 실장 패키지에 다양한 RDS(on) 값을 가진 포트폴리오의 첫 제품이다. 이 제품들은 전기 자동차(EV) 충전 파일, 무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 태양광 및 에너지 저장 시스템(ESS)용 인버터를 포함한 산업 응용 분야에서 필요로 하는 고성능 SiC MOSFET의 수요를 충족시켜준다. 넥스페리아의 카트린 퓨를(Katrin Feurle) 수석 이사 겸 SiC 제품 그룹 책임자는 "당사는 더 많은 와이드 밴드갭 장치 공급업체를 요구해온 이 시장에서 미쓰비시 전기의 혁신적인 기술을 접목했다. 넥스페리아는 높은 RDS(on) 온도 안정성, 낮은 바디 다이오드 전압 강하, 엄격한 임계 전압 사양, 균형 잡힌 게이트 전하비 등 여러 매개변수에서 동급
SiC 와이드 밴드갭 반도체 효율 개선으로 고효율 전력 반도체 수요 대응 넥스페리아가 14일 미쓰비시 전기와 전략적 파트너십을 체결해 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET을 공동 개발한다고 발표했다. 반도체 분야에서 각각의 전문성을 가진 양사는 이번 협력으로 실리콘 카바이드 와이드 밴드갭 반도체의 에너지 효율성과 성능을 한 단계 끌어올리게 된다. 양사는 이를 통해 고효율 전력 반도체의 급증하는 수요에 대응할 것으로 보인다. 미쓰비시 전기의 전력 반도체 제품군은 고객사가 자동차, 가전 제품, 산업용 장비 및 트랙션 모터 등 다양한 부문에서 에너지를 상당히 절감하도록 해준다. 고신뢰도, 고성능 실리콘 카바이드 모듈 업계에서 기술력을 인정받은 미쓰비시 전기의 제품들은 대표적으로 일본의 신칸센 고속 열차에 채용되고 있다. 넥스페리아는 부품 개발, 생산 및 적격성 평가 분야에서 수십 년의 경험을 보유한 회사다. 넥스페리아는 고효율 및 신뢰성 전력 반도체의 급증하는 수요를 충족하도록 설계된 고품질 와이드 밴드갭 소자를 제공하고 있다. 유럽에 본거지를 두고 자동차 및 산업에서 모바일 및 소비 가전에 이르기까지 다양한 영역의 글로벌 고객사를 확보한 넥스페리아는 특히 개별
넥스페리아(Nexperia)는 자동차 인포테인먼트 애플리케이션에서 USB, HDMI, 고속 비디오 링크 및 이더넷과 같은 인터페이스의 고속 데이터 라인을 보호하도록 설계된 초저 정전 용량 ESD 보호 다이오드 포트폴리오를 확장한다고 11일 발표했다. 이번에 추가된 제품들은 측면 습식 플랭크를 사용해 자동차 생산 라인에서 광학 검사를 가능하게 하는 DFN1006BD-2 패키지의 PESD18VF1BLS-Q, PESD24VF1BLS-Q, PESD30VF1BLS-Q, PESD32VF1BLS-Q등이다. PESD18VF1BBL-Q, PESD24VF1BBL-Q 및 PESD30VF1BBL-Q는 콤팩트한 DFN1006-2 패키지로 제공된다. 이 제품들은 모두 자동차 설계의 소형화를 가능하게 하는 동시에 전기적 성능과 신호 무결성을 개선하기 위해 무연 패키지 구조를 채택한 것이 특징이다. 정전기 방전(ESD) 다이오드는 정전기 방전의 높은 에너지를 발산해 중요한 전자 시스템과 하위 시스템을 보호한다. 이로써 중요한 SoC(시스템 온 칩)을 비롯한 다른 부품들은 시스템 내에서 발생한 ESD로부터 손상되지 않게 된다. 고속 데이터 라인에 다른 부품들을 별도로 추가하면 전송된 데이
"제품 출시로 고전압 스위칭 소자 수요 해결할 것" 넥스페리아가 30A NGW30T60M3DF를 출시해 600V 소자 범위의 절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT) 시장에 진출했다. 넥스페리아는 기존의 광범위한 포트폴리오에 IGBT를 추가함으로써 다양한 성능을 저비용에 요구하는 효율적인 고전압 스위칭 소자의 늘어나는 수요를 해결하게 됐다. 이를 통해 5kHz-20kW(20kHz) 범위의 서보 모터와 같은 산업용 모터 드라이브를 비롯해 로봇 공학, 엘리베이터, 작동 그리퍼, 인라인 제조, 전력 인버터, 무정전 전원 공급 장치(UPS), 태양광(PV) 스트링, EV 충전, 유도 가열, 용접 등 각종 전력 변환 및 모터 드라이브 응용 분야에서 높은 전력 밀도가 가능해졌다. IGBT 시장은 태양 전지판 및 전기차 충전기에 많이 채택됨에 따라 성장할 것으로 예상된다. 넥스페리아의 600V IGBT는 견고하면서도 저비용의 캐리어 저장 트렌치 게이트 고급 필드 스톱 구조를 특징으로 하며 최대 175°C의 작동 온도에서 높은 안정성으로 낮은 전도 및 스위칭 손실 성능을 유지한다. 이로 인해 전력 인버터, 유도 히터, 용접 장비를 비롯해 모터 드라이브 및 서보, 로봇 공학,
데이터 통신·전기 통신, 소비 가전 충전, 태양열 및 산업용 제품 등 전력 변환 효율 개선 넥스페리아가 오늘 저전압(100/150V) 및 고전압(650V) 애플리케이션을 위한 e-모드 구성의 전력용 GaN FET 첫 시리즈를 출시했다. 넥스페리아는 7개의 새로운 e-모드 소자로 캐스코드 제품을 보강함으로써 설계자에게 실리콘 기반 전력 전자 부품 포트폴리오와 함께 GaN FET를 최적으로 제공하는 단일 제조업체가 됐다. 넥스페리아가 이번에 출시한 새로운 포트폴리오에는 DFN 5mm x 6mm 및 DFN 8mm x 8mm 패키지로 선택할 수 있는 5개의 650V 정격 e-모드 GaN FET - 80mΩ에서 190mΩ 사이의 RDS(on) 값이 포함된다. 이 소자들은 고전압, 저전력(<650V) 데이터 통신/전기 통신, 소비 가전 충전, 태양열 및 산업용 응용 제품 등의 전력 변환 효율을 개선시킨다. 이 제품들은 또한 더 높은 토크와 더 높은 출력 값을 가지는 정밀도를 갖춘 브러시리스 DC 모터 및 마이크로 서버 드라이브 설계에도 사용된다. 이 제품들 중에는 WLCSP8 패키지로 제공되는 100V(3.2mΩ) GaN FET와 FCLGA 패키지로 제공되는 15
낮은 클램핑 전압과 결합돼 IVN 위한 높은 시스템 레벨 견고성 나타내 넥스페리아가 오늘 LIN, CAN, CAN-FD, FlexRay 및 SENT와 같은 자동차 차량 네트워크(IVN)의 버스 라인을 정전기 방전(ESD) 및 기타 과도 현상으로 인한 손상으로부터 보호하도록 설계된 6개의 ESD 보호 소자(PESD2CANFD36XX-Q)가 포함된 AEC-Q101 인증 포트폴리오를 출시했다. 데이터 속도가 증가하고 차량에 더 많은 전장 기술이 채택되므로 ESD 보호의 필요성이 더욱 중요해지는 추세다. 이에 따라 자동차 모듈에 적합한 보호 기능을 제공하는 일이 설계 엔지니어에게 지속적인 과제로 떠오르고 있다. 자동차 및 소형 차량의 배터리 전압과 달리 24V 보드 네트는 일반적으로 트럭 및 상업용 차량에 사용된다. 일반적으로 작동 전압이 32V 이상인 ESD 보호 소자들은 24V 보드 네트에서 민감한 신호 라인을 보호해야 한다. 이러한 요구 사항을 해결하기 위해 넥스페리아는 36V의 최대 역 스탠드오프 전압과 최대 22kV의 ESD 보호 기능을 제공하는 이 포트폴리오를 설계했다. 이 성능은 IPP=1A 에서 VCL=48V 의 낮은 클램핑 전압과 결합돼 IVN을 위
핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)가 10개의 새로운 25V 및 30V의 완전 최적화 소자들을 출시해 '핫스왑 및 소프트 스타트용 ASFET(특수목적용 MOSFET) 포트폴리오를 확장했다고 21일 밝혔다. 이 소자들은 업계 최고의 향상된 안전 작동 영역(Safe Operating Area: SOA) 성능과 매우 낮은 RDS(on) 를 결합한 것으로 데이터 센터 서버 및 통신 장비를 포함한 12V 핫스왑 애플리케이션에 이상적이다. 넥스페리아에 따르면 ASFET은 출시 이후 그동안 배터리 절연, DC 모터 제어, 이더넷에 의한 전력 공급(PoE), 자동차 에어백 애플리케이션 등 최적화된 분야에서 성공을 거뒀다. 돌입 전류는 핫스왑 응용 제품에서 신뢰성 문제를 일으킬 수 있다. 그러나 향상된 SOA 모스펫을 최초로 개발한 넥스페리아는 이러한 애플리케이션에 완전히 최적화된 '향상된 SOA기능을 가진 핫스왑 및 소프트 스타트 ASFE' 포트폴리오 설계로 이러한 문제를 해결했다. PSMNR67-30YLE ASFET 소자는 이전 기술보다 2.2배 더 강력한 SOA(12V @100mS)를 제공하면서도 RDS(on) (최대)값이 0.7mΩ에 불과하다. 이 소
소자의 성능을 저하시키지 않고도 크기 감소 달성 넥스페리아가 11일인 오늘 업계 최소형의 DFN 패지징으로 제공되는 20V 및 30V MOSFET을 출시했다. 넥스페리아는 이미 이 패키지로 ESD 보호 소자들을 공급하지만 아직 업계에서 달성하지 못한 이 최소형의 패키지를 MOSFET 포트폴리오에 적용하는 데에 성공했다. 새로운 수준의 AI 및 머신러닝을 통합한 차세대 웨어러블 및 청각기기들은 제품 설계자에게 몇 가지 과제를 안겨준다. 여러 기능들이 추가됨에 따라 사용 가능한 보드 공간의 해결이 가장 큰 문제로 대두되며 전력 소비의 증가에 따른 발열도 문제가 된다. 넥스페리아는 이산 부품 생산 분야에서의 경험을 바탕으로 소형 MOSFET 제품군을 설계함으로써 이 두 가지 문제를 성공적으로 극복했다. 크기가 0.63 x 0.33 x 0.25mm에 불과한 초소형 DFN0603 패키지는 두 번째로 작은 패키지(DFN0604)의 MOSFET보다 13% 더 적은 공간을 사용한다. 이러한 크기 감소는 소자의 성능을 저하시키지 않고도 달성됐다. 실제로 이 소자의 RDS(on)는 74%나 감소해 효율성 향상에 도움이 되므로 웨어러블 기기 설계자들은 훨씬 더 큰 전력 밀도를
낮은 클램핑, 낮은 정전 용량, 높은 견고성 제공 넥스페리아가 고속 데이터 라인에서 리타이머 및 리드라이버와 함께 사용하도록 최적화한 두 개의 정전기 방전(ESD) 보호 소자 2종을 출시했다. PESD2V8Y1BSF는 USB4(썬더 볼트) 인터페이스를 보호하도록, PESD4V0Y1BCSF는 USB4 및 HDMI 2.1과 함께 사용하도록 설계됐다. 이 제품들은 넥스페리아의 입증된 TrEOS 기술을 사용해 낮은 클램핑, 낮은 정전 용량, 높은 견고성을 제공한다. 리타이머 및 리드라이버는 일반적으로 고속 USB4 인터페이스 설계에 사용된다. 그러나 낮은 기생 인덕턴스를 갖는 짦은 보드 트레이스로 인해 전체 시스템 레벨 ESD 견고성 감소라는 의도치 않은 결과를 가져온다. PESD2V8Y1BSF 및 PESD4V0Y1BCSF는 낮고 빠른 전송 라인 펄스(vfTLP) 피크 클램핑 전압을 제공하는데, 이 전압은 표준 I(V) TLP 곡선에서 가시적인 트리거 전압이 없는 USB4 보호 솔루션보다 훨씬 낮다. 그 결과 보호 기능과 리타이머 사이에서 일어나는 인덕턴스 감소가 보상되므로 전체 시스템 레벨 ESD의 견고성이 높아진다. 이 제품들은 ESD에 대한 예산 손실 권장 사
넥스페리아가 오늘 새로운 CFP2-HP 패키징으로 제공되는 전력 응용 제품용 정류기 14종을 출시했다고 발표했다. 표준 및 AECQ-101 버전으로 제공되는 이 제품군에는 PMEG100T20ELXD-Q, 100V, 2A 트렌치 쇼트키 배리어 정류기를 포함해 45V, 60V 및 100V 트렌치 쇼트키 정류기(1A 및 2A 옵션 포함) 등이 있다. 이 제품군에는 초고속 복구가 필요한 응용 분야용 200V, 1A PNE20010EXD-Q 정류기도 포함된다. 최신의 자동차 설계에서 자동차 앞축, 뒤축 및 차체 제어를 담당하는 고성능, 다기능의 전자제어 장치의 선호 추세에 맞춰 전체 ECU에 적용되는 반도체 부품 수도 점점 줄어드는 추세다. 이에 ECU에 집적되는 부품 밀도가 크게 증가하고 있다. 이러한 고밀도 설계를 실현하기 위해 제조업체는 점차 현대적인 다층 PCB에 의존하는 경향이다. 이러한 다층 PCB의 수직 열 설계를 통해 설계자는 SMA 패키지 소자 대신 CFP2-HP 제품을 채택해 기판 공간의 최대 75%를 절약하면서 동일한 수준의 전기 성능을 유지한다. 이 견고한 패키지 설계는 동작 시간을 연장하고 보드 수준의 신뢰성을 향상시킨다. 패키지 자체에 적용된
넥스페리아가 자동차 에어백 응용 제품에 특화된 ASFET(Application Specific MOSFET)의 새로운 포트폴리오를 출시했다. LFPAK33 패키징의 13mOhm 로직 레벨 MOSFET인 BUK9M20-60EL은 단일 N 채널 60V 제품이다. ASFET은 특정 분야의 응용제품에서만 사용하도록 특별히 설계되고 최적화된 MOSFET이다. 이 제품은 넥스페리아가 그동안 배터리 분리, 모터 제어, 핫스왑 및 PoE 응용 제품용으로 공급해오던 다양한 ASFET에 추가된 최신 포트폴리오다. BUK9M20-60EL은 자동차 에어백의 핵심 성능인 탁월한 과도 선형 모드 성능을 제공하도록 맞춤화한 넥스페리아의 강화된 안전 작동 영역 기술을 채택했다. 이 제품은 구형 DPAK 패키징에 비해 보드 공간을 84% 적게 사용하는 새로운 LFPAK33 패키징으로 이러한 성능을 달성하면서도 견고한 안정성을 유지한다. 노만 스타펠버그(Norman Stapelberg) 넥스페리아 수석 제품 마케팅 매니저는 “구형 DPAK 패키징을 사용하며 일반적으로 DMOS 및 1세대 트렌치 공정을 적용한 다른 유사 제품들은 여러 반도체 제조업체로부터 점차 외면 받고 있다”고 말했다. 이
넥스페리아가 모든 사업 분야에서 높은 성장세를 보인 2021년도 재무 결과를 발표했다. 개별 반도체 부품, 전력 반도체 부품 및 로직 IC를 개발하는 넥스페리아의 2021년 매출은 전년 대비 49% 증가한 21억4000만 달러를 기록했다. 이 수치는 글로벌 반도체 업계의 전체 성장률을 능가하는 것으로 시장 점유율 또한 1% 증가해 9.4%까지 높아졌다. 넥스페리아는 지난 5년간 가장 높은 자동차 표준에 부합하는 제조역량을 갖추는 동시에 다양한 제품 포트폴리오를 제공했다. 스테판 틸거(Stefan Tilger) 넥스페리아 CFO는 "지난 2021년, 당사는 모든 사업 영역에서 최소 30%의 매출 성장을 올리며 펜데믹 상황을 잘 헤쳐갔다”며, “끊임없이 증가하는 고객 요구사항을 충족시키도록 제조 생산량을 확대해가겠다"고 포부를 밝혔다. 넥스페리아는 증가하는 업계 수요에 부응하기 위해 자체 시설뿐 아니라 외부 파트너십을 통한 생산 능력 강화에 지속적으로 투자해왔다. 기록적인 투자가 이뤄진 유럽과 아시아 권역에서는 전년도에 비해 지출이 세 배로 증가했다. 주요 사례로는 유럽 웨이퍼 팹의 생산 능력 확대를 비롯해 테스트 및 조립 생산 시설의 확대 등이다. 2022 회
헬로티 이동재 기자 | 넥스페리아가 두 개의 최저 클램핑 및 커패시턴스 양방향 정전기 방전(ESD) 보호 다이오드인 PESD5V0R1BxSF를 출시했다. 능동 실리콘 제어 정류기능을 갖춘 넥스페리아의 TrEOS 기술을 기반으로 한 이 소자들은 노트북 및 주변 기기를 비롯해 스마트폰 등 다양한 휴대용 전자 기기의 USB4 데이터 라인에 대해 최적의 신호 무결성을 보장한다. 스테판 사이더 넥스페리아 제품담당 선임 매니저는 "시스템업체들이 USB4 Super Speed 라인의 삽입 손실 및 복구 손실에 대한 비용을 추가로 쓰지 않는 경향이 있지만 당사는 ESD 보호를 위한 비용이 총 비용에 미치는 영향을 최소화하는 소자로 설계 엔지니어를 지원한다"라며 "엔지니어는 이러한 두 소자 옵션을 선택해ESD 전압 클램핑 (보호 수준)과 RF 성능 사이의 균형을 맞출 수 있다"고 설명했다. 낮은 클램핑에 최적화된 PESD5V0R1BDSF는 10GHz에서 -0.28dB의 매우 낮은 삽입 손실 수치와 -19dB의 낮은 복구 손실 수치를 제공한다. 이에 비해 PESD5V0R1BCSF는 10GHz에서 -0.25dB의 삽입 손실 데이터와 -19.4dB의 반환 손실 데이터를 통해 RF
헬로티 이동재 기자 | 넥스페리아의 표면실장 소자 패키징 중 하나인 클립 본드 FlatPower 패키지 ‘CFP15B’가 세계 유수의 자동차 공급업체가 실시한 보드 레벨 신뢰성(BLR) 테스트를 통과했다. 해당 제품은 엔진 제어 장치에 사용될 예정이다. BLR는 반도체 패키지의 견고성과 신뢰도를 평가한다. BLR 테스트는 차량에 탑재되는 전자 시스템이 갈수록 복잡해지고 있는 자동차 업계에 특히 중요하다. BLR 검증 결과 CFP15B는 AEC-Q101이 요구하는 신뢰성 성능의 두 배를 초과한 것으로 확인됐다. 온도 순환과 간헐적인 작동 수명 테스트를 결합한 전력 온도 결과 이 소자는 2600사이클의 자격 조건을 만족했음이 확인됐다. 귀도 쉐른 넥스페리아 전력 양극성 소자 제품 매니저는 “CFP15B는 내열 기능이 강화된 초박형 표면 실장형 소자 최신 기술을 반영한다”며 “패키지는 다기능과 신뢰도를 통해 엔진 제어 장치, 변속기 제어 장치를 비롯해 제동 등 여러 가지 다양한 안전 분야의 자동차 부품에 완벽한 선택 조건이 된다”고 언급했다. 또한 “CFP15B는 표면 실장형 소자가 견뎌내야 하는 거친 환경의 자동차 분야에서 가장 가혹한 조건들을 잘 통과했다”고